平台石墨炉原子吸收测磷的方法研究

研究了平台石墨炉原子吸收测定磷的方法,表明以氯化钯和硝酸钙的混合液作为基体改进剂测定生物样品中的磷效果最好,方法特征量为8×10~(-9)g,工作曲线线性范围为0～0.400吸光度,精密度好,抗干扰能力强,方法简单,利用标准曲线即可测定生物样品中磷。     

Numerical Computation of Figure-eight Solution for 3-body Problems

The main goal of this paper is to compute the Figure-eight solutions for the planar Newtonian 3-body problem with equal masses by finding the critical points of the functional associated with the motion equations of 3-body in plane R2. The algorithm adopted here is the steepest descent method, which is simple but very valid for our problem.     

用参考圆法演示简谐振动

对受迫振动仪进行了改进，通过参考圆法，演示了作镁速圆周运动的质点在直径方向上的投影所作的运动为简谐振动。     

混合方次的Waring——Goldbach问题

研究混合方次的Waring--Goldbach     

Angular and NiFe thickness dependence of exchange bias in IrMn/NiFe/IrMn thin film

Exchange biased IrMn/NiFe/IrMn thin films were studied as a function of NiFe thickness. In plane angular dependence of a resonance field distribution which is measured by FMR was analyzed as a combined effect of an unidirectional anisotropy and an uniaxial anisotropy. The unidirectional anisotropic field and the uniaxial anisotropic field were linearly varied with NiFe thickness while the films with a thicker NiFe layer do not follow the linear variation. Resonance field and linewidth variations were also analysed with NiFe thickness.     

线性递归序列模q

设{u_k}_k≥0为一个线性递归序列．序列{u_k(mod q)}_(k≥0)是周期的,很多人都对其周期有过研究．本文应用二次数域中理想的理论,较完全地刻面了二次线性递归序列模q的周期长度,所获结果加强并推广了Engstrom及Wall的结论．     

AFC^＊一代数上的映射

本文讨论AFC^＊一代数中的一些映射的线性性质和它们的局部性质之间的关系．研究AFC^＊一代数A上的保持乘法的局部自同构Ф在A中矩阵单位系上的作用。证明了Ф是A上的自同构。对于UHF代数上满等距的结构，还证明了UHF代数上的2-局部（满线性）等距是线性的．     

数字图像频域相关分析法及其应用

提出了一种以灰度为载体的数字图像频域相关(DFC)计量的方法,通过傅里叶变换和滤波,直接提取物体位移信息。与传统的激光散斑法比较,无需干涉光源,可用白光照明,因此对实验环境的要求很低;与数字图像相关法比较,计算速度更快,对照明要求更低,不受刚体转动影响。新方法不仅设备简单、容易实现,还具有灵敏度可调,测量过程无需人工干预的良好特征,由于充分利用了计算机数字图像处理的功能,抗干扰性强,是一种适合工业现场测量的有发展前途的位移全场测试新技术。     

一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理模型

针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点，对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正，提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型，用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证，对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线，重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势，研究结果表明，由于在沟道中存在量子效应，在栅下靠源端低电场区域，电流主要分布在InGaAs沟道 关键词： 高电子迁移率晶体管 复合沟道 物理模型 磷化铟     

排列形状及阵列数目对纳米导线阵列场发射性能的影响

为了进一步研究纳米导线阵列的排列形状以及阵列数目对其场发射行为的影响，利用镜像悬浮球模型对正方形以及六边形排列的纳米导线阵列的场发射行为进行计算与模拟，近似的得到纳米导线阵列的场发射增强因子满足如下的变化趋势：β=h/ρ(1/1+W)+1/2(1/1+W)²+3,其中h为纳米导线的高度，ρ为纳米导线的半径，W是以R为自变量的函数，R为纳米导线阵列的间距.结果显示纳米导线阵列的排列形状对其场发射性能的影响较小，而阵列间距则是影响场发射性能的关键因素：当R<R₀时，场发射增强因子随着阵列间距的减小而急剧减小；当R>R₀时，场发射增强因子基本不变，其中R₀为导线阵列场发射的最佳间距.进一步研究表明改变纳米导线阵列的数目基本不会改变阵列的场发射性能随间距的变化趋势，但是随着阵列数目的增加，R₀会有一定程度的减小，场发射增强因子也会降低. 关键词： 纳米导线 场发射 增强因子 阵列数目